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MOS场效应管检测

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检测项目参考:


二*管正向压降、栅*漏电流、漏*反向电流、漏源间击穿电压、漏源间通态电压、漏源间通态电阻、阈值电压、栅-源阈值电压VGS(th)、栅源截止(漏泄)电流IGSS、正向跨导gfs、漏源击穿电压V(BR)DSS、漏源*截止电流IDSS、静态漏-源通态电阻rDS、栅源截止(漏泄)电流IGSS、正向跨导gfs、漏源击穿电压V(BR)DSS、栅-源阈值电压VGS(th)、静态漏-源通态电阻rDS、漏源*截止电流IDSS


检测标准方法一览:


1、GB/T4586-1994半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第Ⅳ章6


2、GJB128A-1997半导体分立器件试验方法方法3407


3、GB/T4586-1994半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管


4、MIL-STD-750F:2012半导体分立器件试验方法4011


5、GJB128A-1997半导体分立器件试验方法


6、MIL-STD-750F:2012半导体分立器件试验方法